삼성의 3nm 공정 생산은 개발 중 문제로 인해 심각한 지연에 직면할 것입니다.

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삼성은 현재 최신 3nm 공정 노드의 대량 생산을 계획하고 있으며 한국의 기술 대기업은 이미 Qualcomm 및 NVIDIA와 같은 일부 유명 업체와 계약을 확보한 것으로 알려졌습니다.

그러나 최근 보고서에 따르면 삼성은 3nm 올인원(GAA) 게이트웨이 프로세스를 개발하는 동안 첨단 기술과 계속해서 고군분투하고 있다고 합니다.

범용 게이트 또는 GAA 트랜지스터는 게이트가 모든 면에서 채널에 연결되어 연속 측정이 가능한 변형된 트랜지스터 구조. 이러한 트랜지스터를 범용 게이트 또는 GAA, 트랜지스터라고 하며 다양한 변형이 제안되었습니다.

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그러나 한국의 거대 기술 기업의 3nm GAA 공정은 비용과 성능을 논할 때 현재 세계 최대 실리콘 제조업체인 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company의 3nm FinFET 기술과 비교할 때 “경쟁이 덜합니다”.

[FinFET is a] 핀 전계 효과 트랜지스터는 게이트가 채널의 2, 3 또는 4면에 배치되거나 채널 주위를 감싸서 이중 또는 다중 게이트 구조를 형성하는 다층 기판 기반 MOSFET 장치입니다.

삼성은 이전에 2022년까지 3nm 공정 노드 생산을 시작할 계획이라고 발표했지만 회사가 계속 어려움을 겪을 경우 지연될 수 있습니다. 한편, 경쟁사인 TSMC는 빠르면 2022년 3분기에 3nm FinFET 공정 기술의 양산을 시작할 예정입니다. 이미 Apple, AMD, Intel과 같은 유명 업체를 포함한 구매자 목록이 있습니다.

‘N3는 고객에게 성능이자 또 다른 비용이 될 것입니다.’

이전 보고서에 따르면 Intel과 Apple은 이미 TSMC와 3nm FinFET 기술에 대한 주문을 시작했으며 삼성전자는 향후 3년 동안 수행할 2,055억 달러의 자본 지출 프로그램을 공개했습니다.

보고서에 따르면 한국의 거대 기술 기업은 1세대 3nm GAA를 조기에, 2차 32 GAA Plus(각각 GAE 및 GAP)를 출시할 계획이지만 현재 GAE 생산은 가장 일찍 시작할 수 없을 것입니다. 2023년 개발 중에 발생한 많은 문제로 인해.

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